четверг, 30 января 2014 г.

RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy

(в электронном виде)

RF sputtered аморфные халькогенидные тонкие пленки для поверхностной ИК спектроскопии на поглощении.

RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy
Авторы: F. Verger, V. Nazabal, F. Colas, P. Němec, C. Cardinaud, E. Baudet, R. Chahal, E. Rinnert, K. Boukerma, I. Peron, S. Deputier, M. Guilloux-Viry, J.P. Guin, H. Lhermite, A. Moreac, C. Compère, and B. Bureau
Источник: Optical materials express, Vol.3, No.12, pp.2112-2131 (2013)

Основная цель данного исследования - разработка прозрачных тонкопленочных материалов в ИК-области, обладающие сильным инфракрасным поглощением, из органических соединений в непосредственной близости от металлических наночастиц с поверхностным плазмонным эффектом. Для развития этих оптических микро-датчиков , гетероструктуры , сочетающие наночастицы золота и халькогенидные планарные волноводы, изготавливаются и определяются их характеристики. Одиночные As2S3 и Ge25Sb10Se65 аморфные халькогенидные тонкие пленки изготавливались путем радиочастотного магнетронного распыления. Для изготовления наночастиц золота на халькогенидных планарных волноводах, использовалось распыление постоянного тока. Характеристики готовых одиночных слоев или гетеро-структур определялись с использованием различных методов, чтобы исследовать влияние параметров осаждения. Наночастицы золота функционализируют на самоорганизующихся монослоях 4-нитротиофенола . Наконец, измерялись и анализировались спектры поверхностного усиленного ИК поглощения 4-нитротиофенола, самоорганизованного на изготовленных Au/Ge-Sb-Se тонкопленочных гетероструктурах. Этот оптический компонент представляет коэффициент усиления х24 для обнаружения NO2 симметричных валентных полос колебания 4- нитротиофенола на 1336 см-1

(50 статей в списке литературы)




Комментариев нет:

Отправить комментарий