(в электронном виде)
Новый метод формирования литографической маски или рельефа прямой электроно-лучевой экспозицией резиста
New method of forming a lithographic mask or relief directly during electron-beam exposure of a resist
Авторы: M. A. Bruk, A. V. Spirin, D. R. Strel’tsov, E. N. Zhikharev and V. A. Kal’nov
Источник: J.Opt.Technol, Vol.80, No.9, pp.582-584 (2013)
В настоящем документе предлагается новый метод "сухого" формирования маски или любого другого рельефного рисунка в определенных положительных резистах путем непосредственного травления резиста сразу во время воздействия пучком электронов. Метод очень эффективен при формировании пространственных 3D структур и, видимо, может быть успешно использован в оптоэлектронике
Новый метод формирования литографической маски или рельефа прямой электроно-лучевой экспозицией резиста
New method of forming a lithographic mask or relief directly during electron-beam exposure of a resist
Авторы: M. A. Bruk, A. V. Spirin, D. R. Strel’tsov, E. N. Zhikharev and V. A. Kal’nov
Источник: J.Opt.Technol, Vol.80, No.9, pp.582-584 (2013)
В настоящем документе предлагается новый метод "сухого" формирования маски или любого другого рельефного рисунка в определенных положительных резистах путем непосредственного травления резиста сразу во время воздействия пучком электронов. Метод очень эффективен при формировании пространственных 3D структур и, видимо, может быть успешно использован в оптоэлектронике
Комментариев нет:
Отправить комментарий