Demonstration of heterogeneous III–V/Si integration with a compact optical vertical interconnect access

(в электронном виде)

Демонстрация интеграции гетерогенного III-V/Si элемента с компактными межсоединениями вертикального доступа.

Demonstration of heterogeneous III–V/Si integration with a compact optical vertical interconnect access
Авторы: Doris Keh Ting Ng, Qian Wang, Jing Pu, Kim Peng Lim, Yongqiang Wei,Yadong Wang, Yicheng Lai, and Seng Tiong Ho
Источник: Optics letters, Vol.38, No.24, pp.5353-5356 (2013)

Изготовленная гетерогенная интеграция III-V/Si с компактными оптическими межсоединениями вертикального доступа и исследована эффективность связи между волноводом III-V/Si и кремниевым нанофотонным волноводом. III-V полупроводниковый материал непосредственно связан с подложкой в виде кремния на изоляторе (SOI)  и вытравлен для формирования  III-V/Si волновода для более высокого заключения света в активной области. Компактное оптическое вертикальное межсоединение формируется за счет сужения III-V и SOI-слоев в одном и том же направлении. Измеренный III-V/Si волновод имеет эффективность связи выше ~ 90%  фотонного кремниевого слоя с сужающейся структурой. Эта гетерогенная и вводящая свет структура может предоставить эффективную платформу для фотонных систем на чипе, в том числе пассивных и активных устройств.