Study of the Multiwavelength DFB Semiconductor Laser Array Based on the Reconstruction-Equivalent-Chirp Technique

(в электронном виде)

Изучение многоволнового РОС-полупроводникового лазерного массива на основе технологии Reconstruction-Equivalent-Chirp

Study of the Multiwavelength DFB Semiconductor Laser Array Based on the Reconstruction-Equivalent-Chirp Technique
Авторы: Yuechun Shi, Simin Li, Lianyan Li, Renjia Guo, Tingting Zhang, Liu Rui, Weichun Li, Linlin Lu, Tang Song, Yating Zhou,  Jingsi Li, and Xiangfei Chen
Источник: J. of Lightwave Techn, Vol.31, No.20, pp.3243-3250 (2013)

Представлен подробный теоретический анализ генерации точной длины волны РОС-лазерного массива на основе reconstruction-equivalent-chirp техники​​. Получены экспериментальные результаты для массива РОС-лазеров с 8 длинами волн с эквивалентным π фазовым сдвигом (π-EPS), а также массив с четырьмя длинами волн и с эквивалентными тремя сдвигами. Была получена высокая точность генерации длины волны. Эта статья показывает, что техника REC является перспективным способом для изготовления многоволнового РОС лазерного массива с низкой стоимостью и высоким выходом

RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy

(в электронном виде)

RF sputtered аморфные халькогенидные тонкие пленки для поверхностной ИК спектроскопии на поглощении.

RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy
Авторы: F. Verger, V. Nazabal, F. Colas, P. Němec, C. Cardinaud, E. Baudet, R. Chahal, E. Rinnert, K. Boukerma, I. Peron, S. Deputier, M. Guilloux-Viry, J.P. Guin, H. Lhermite, A. Moreac, C. Compère, and B. Bureau
Источник: Optical materials express, Vol.3, No.12, pp.2112-2131 (2013)

Основная цель данного исследования - разработка прозрачных тонкопленочных материалов в ИК-области, обладающие сильным инфракрасным поглощением, из органических соединений в непосредственной близости от металлических наночастиц с поверхностным плазмонным эффектом. Для развития этих оптических микро-датчиков , гетероструктуры , сочетающие наночастицы золота и халькогенидные планарные волноводы, изготавливаются и определяются их характеристики. Одиночные As2S3 и Ge25Sb10Se65 аморфные халькогенидные тонкие пленки изготавливались путем радиочастотного магнетронного распыления. Для изготовления наночастиц золота на халькогенидных планарных волноводах, использовалось распыление постоянного тока. Характеристики готовых одиночных слоев или гетеро-структур определялись с использованием различных методов, чтобы исследовать влияние параметров осаждения. Наночастицы золота функционализируют на самоорганизующихся монослоях 4-нитротиофенола . Наконец, измерялись и анализировались спектры поверхностного усиленного ИК поглощения 4-нитротиофенола, самоорганизованного на изготовленных Au/Ge-Sb-Se тонкопленочных гетероструктурах. Этот оптический компонент представляет коэффициент усиления х24 для обнаружения NO2 симметричных валентных полос колебания 4- нитротиофенола на 1336 см-1

(50 статей в списке литературы)

Optical fiber-based sensor for in situ monitoring of cadmium sulfide thin-film growth

(в электронном виде)

Волоконный датчик для онлайн-мониторинга роста тонких пленок сульфида кадмия.

Optical fiber-based sensor for in situ monitoring of cadmium sulfide thin-film growth
Авторы: Farzia Karim, Tanujjal Bora, Mayur B. Chaudhari, Khaled Habib, Waleed S. Mohammed, and Joydeep Dutta
Источник: Optics letters, Vol.38, No.24, pp.5385-5388 (2013)

Данная работа представляем схему для онлайн-мониторинга роста тонких пленок. Волоконно-оптический датчик на основе интерферометра Фабри-Перо было установлен в первый раз, чтобы контролировать рост тонких пленок. Он применялся для определения толщины тонких пленок сульфида кадмия (CDS) в процессе роста. Процесс изготовления пленок CdS проводился в растрове в 30mMcadmiumacetate и тиоацетамида при температуре 60 гр. Ориентировочная толщина, определенная в процессе роста, была проверена с помощью сканирующего электронного микроскопа. Это исследование показывает, что онлайн-измерение толщины тонких пленок осуществимо на этой новой технологии, а также было достигнуто близкое соответствие с расчетной толщиной.

New method of forming a lithographic mask or relief directly during electron-beam exposure of a resist

(в электронном виде)

Новый метод формирования литографической маски или рельефа прямой электроно-лучевой экспозицией резиста

New method of forming a lithographic mask or relief directly during  electron-beam exposure of a resist
Авторы: M. A. Bruk, A. V. Spirin, D. R. Strel’tsov, E. N. Zhikharev and V. A. Kal’nov
Источник: J.Opt.Technol, Vol.80, No.9, pp.582-584 (2013)

В настоящем документе предлагается новый метод "сухого" формирования маски или любого другого рельефного рисунка в определенных положительных резистах путем непосредственного травления резиста сразу во время воздействия пучком электронов. Метод очень эффективен при формировании пространственных 3D структур и, видимо, может быть успешно использован в оптоэлектронике

Narrow linewidth single-frequency terahertz source based on difference frequency generation of vertical-external-cavity source-emitting lasers in an external resonance cavity

(в электронном виде)

Узкополосный одночастотный терагерцовый источник на основе лазеров с вертикальным внешним резонатором с разными частотами

Narrow linewidth single-frequency terahertz source based on difference frequency generation of vertical-external-cavity source-emitting lasers in an external resonance cavity
Авторы: Justin R. Paul, Maik Scheller, Alexandre Laurain, Abram Young, Stephan W. Koch, and Jerome Moloney
Источник: Optics letters, Vol.38, No.18, pp.3654-3657 (2013)

Мы продемонстрировали непрерывный одночастотный терагерцовый источник излучения на 1,9 ТГц. Ширина линии меньше 100 кГц и генерируемая выходная мощность превышает 100 мкВт. Терагерцовый источник основан на генерации параметрической разницы частот в нелинейном кристалле, расположенном в полости оптическогорезонатора. Два одночастотных лазера с вертикальным внешним резонатором  с длинами волн излучения, разнесенными на 6,8 нм, по фазе заперты во внешнем резонаторе и обеспечивают накачку фотонов для нелинейного преобразования с понижением частоты. Показано, что терагерцовый источник может использоваться в качестве гетеродина чтобы управлять приемником, используемым в астрономических приложениях.

Modal analysis and device considerations of thin high index dielectric overlay slab waveguides

(в электронном виде, есть перевод)

Модовый анализ и рассмотрение устройств на основе тонкопленочных волноводов с верхним слоем с высоким показателем преломления

Modal analysis and device considerations of thin high index dielectric overlay slab waveguides
Авторы: Robert C. Gauthier, Kristian E. Medri, and Scott R. Newman
Источник: Appl.Opt., vol.51, No.9, pp.1266-1275 (2012)

Эффект добавления верхнего слоя с высоким показателем преломления к трехслойному планарному волноводу демонстрирует несколько интересных свойств, которые могут быть использованы в интегрально-оптических устройствах. Простой модовый анализ использовался для изучения поведения света, введенного в 3хслойный волновод, когда он распространяется в 4хслойной области. Модовые свойства, которые обычно упускаются из вида в обычных планарных  волноводах, могут использоваться при конструировании и теоретическом анализе MMI-устройств и оптических сенсоров, чувствительных к показателю преломления. Оптическая структура, представленная здесь, может быть основой волновода при конструировании более сложных и активных устройств

Long-wavelength mid-infrared reflectors using guided-mode resonance

(в электронном виде, есть перевод)

Отражатели длинноволнового среднего инфракрасного диапазона, использующие волноводный резонанс мод.
Long-wavelength mid-infrared reflectors using guided-mode resonance
Авторы: Kou-Wei Lai, Sheng-Di Lin, Zong-Lin Li, and Chi-Cheng Wang
Источник: Appl.Opt., vol.52, No.28, pp.6906-6909 (2013)

Мы предложили и изготовили новый отражатель для среднего инфракрасного диапазона, использующий волноводный резонанс мод (GMR). Отражатель GMR состоит из субдлиноволновой Gе решетки на GaAs подложке с   промежуточным слоем SiOx с низким показателем преломления. Было получено теоретически и экспериментально почти 100%-ное отражение на 8 мкм при полной толщине приблизительно 2 мкм.