(в электронном виде)
Оптимизация решеточного узла ввода-вывода излучения из тонкопленочного волновода, сформированного на кремниевой подложке
Источник: Кв.электроника, т.21, №11, стр.1090-7092 (1994)
Авторы: О.Парье, В.А.Сычугов, А.Е.Тихомиров, А.В.Тищенко, Б.А.Усиевич
Четырехслойная структура на кремниевой подложке, приближение малой глубины гофра, интеренференционные эффекты при изменении толщин h и b, для ТЕ и ТМ.
Оптимизация решеточного узла ввода-вывода излучения из тонкопленочного волновода, сформированного на кремниевой подложке
Источник: Кв.электроника, т.21, №11, стр.1090-7092 (1994)
Авторы: О.Парье, В.А.Сычугов, А.Е.Тихомиров, А.В.Тищенко, Б.А.Усиевич
Проведены анализ работы и оптимизация параметров решеточного устройства ввода-вывода излучения из тонкопленочного волновода, сформированного на кремниевой подложке. Установлено, что отражение света на границе раздела буферный слой - кремний приводит к существенным изменениям работы решеточного устройства связи. Получены условия максимального вывода света в воздух (или в подложку) как для ТЕ-, так и для ТМ-мод тонкопленочного волновода.
Четырехслойная структура на кремниевой подложке, приближение малой глубины гофра, интеренференционные эффекты при изменении толщин h и b, для ТЕ и ТМ.

Комментариев нет:
Отправить комментарий