Дифракционные решетки на поверхности GaAs, полученные методом интерференционного фототравления

Источник: ЖТФ, т.46, в.7,стр.1505-1510 (1976)
Авторы: Ж.И.Алферов, Д.Н.Горячев, С.А.Гуревич, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной, Б.С.Рывкин

Изложены различные аспекты исследований, связанных с изготовлением дифрационных решеток на поверхности GaAs методом интерференционного фототравления и их контролем. Теоретически показано, что форма решеток в этом случае, независимо от величины их шага, должна быть синусоидальной. Обсуждены и проверены способы неразрушающего контроля фазовых интерференционных решеток. Показано, что решетки, изготовленные методом интерференционного фототравления, близки по форме к синусоидальным. Указанный метод позволяет получать высокоэффективные решетки с пространственной частотой более 4000 лин./мм.